[实用新型]侧射型发光二极管装置无效
申请号: | 200620131514.1 | 申请日: | 2006-08-17 |
公开(公告)号: | CN200956374Y | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 赖永祥;林治民;庄世任 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型是有关于一种侧射型发光二极管装置,其包括一侧射型封装支架。一发光二极管晶片借固晶、焊线及封胶于侧射型封装支架的凹陷内。发光二极管晶片的长度介于270-1600μm之间。发光二极管晶片的宽度介于150-380μm之间。当发光二极管晶片的长宽比(长度/宽度)大于或等于1.8,侧射型发光二极管装置的整体出光效果较佳。 | ||
搜索关键词: | 侧射型 发光二极管 装置 | ||
【主权项】:
1、一种侧射型发光二极管装置,其特征在于其至少包括:一侧射型封装支架,具有一凹陷;以及一发光二极管晶片,固晶、焊线及封胶于该凹陷内,其中该发光二极管晶片的长宽比大于或等于1.8。
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