[实用新型]晶圆测试加热器无效
| 申请号： | 200620131608.9 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN200965866Y | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞和 | 申请（专利权）人： | 礼荣贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 台湾省台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆测试加热器，应用于加热测试晶圆，其除了既有的加热功能外，更于箱体内增加流量控制表与温控表，而可针对内部管路传送的热风，进行温度与流量的控制，使得晶圆的测试加热更加精确，由此可达到多样化功能，同时，其整体体积大小缩小，轻巧且便于携带。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 加热器 | ||
【主权项】：
1、一种晶圆测试加热器，用以对一待测晶圆进行加热，其包含有一箱体与一贯通该箱体的管路，由该管路引导空气进入，并穿过该箱体及通过一加热器加热，而以热风形式吹于该晶圆上，其特征在于：该箱体更包含有一流量控制表与一温控表，由该流量控制表控制该热风的流量，并由该温控表，控制该热风的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
