[实用新型]正电源上电缓启动的电路无效

专利信息
申请号: 200620133014.1 申请日: 2006-08-18
公开(公告)号: CN201029021Y 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 林健明 申请(专利权)人: 杭州华三通信技术有限公司
主分类号: G05B19/04 分类号: G05B19/04;H02M3/10
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 310053浙江省杭州市高新技术产业*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供一种正电源上电缓启动的电路,该电路包括:相互串联的电容C1和第一电阻R1,连接在电源和地之间;PMOS管,其源极与正电源的输入端相连,漏极与输出端相连,以及栅极连接在电容C1与第一电阻R1的连接点上;反馈电容C2,并联在PMOS管的漏极和栅极之间;其中,反馈电容C2的电容值远大于PMOS管的漏极和栅极之间的寄生电容Cgd;二极管D1,该二极管D1的阴极连接在PMOS管的栅极以及二极管D1的阳极连接在电容C1与第一电阻R1的连接点之间;以及第二电阻R2,串接在PMOS管的栅极和地之间。本实用新型能在产品开发过程中精确地计算电源上电冲击电流的大小,避免误选电源保险管、减小冲击电流以及提高产品的可靠性。
搜索关键词: 电源 上电缓 启动 电路
【主权项】:
1.一种正电源上电缓启动的电路,包括:电容(C1),其一端与正电源的输入端相连;第一电阻(R1),其一端与电容(C1)的另一端相连,另一端接地;P沟道MOS管,其源极与正电源的输入端相连,漏极与输出端相连,以及栅极连接在电容(C1)与第一电阻(R1)的连接点上;其特征在于,该电路还包括:反馈电容(C2),其并联在P沟道MOS管的漏极和栅极之间,其中,反馈电容(C2)的电容值远大于P沟道MOS管的漏极和栅极之间的寄生电容(Cgd)。
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