[实用新型]霍尔型离子源无效

专利信息
申请号: 200620137860.0 申请日: 2006-09-28
公开(公告)号: CN201160064Y 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 杨东升;王琼先;叶军;何欣 申请(专利权)人: 北京镨玛时代科技有限公司
主分类号: H01J27/02 分类号: H01J27/02;H01J37/08;C23C14/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102206北京市大兴区工业*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种离子源,包括阳极,通过固定栓悬浮布置在阳极上方的阴极,及将电、气、冷却介质引入到阳极和阴极中的电、气、冷却介质引入组件,其中,由高导热材料制成的阳极被由电、气、冷却介质引入组件所引入的冷却介质进行直接冷却,且阳极表面采用导电薄膜进行改性;阳极采取严格屏蔽方式且屏蔽间隙小于暗区距离;由金属玻纹管或其他密封结构将用于引入电、气、冷却介质的管线引入真空室,防止异常放电;本实用新型的屏蔽外壳可悬浮或被施加不同电位,以控制屏蔽外壳对离子的吸收数量,改善离子束的分布状态。本实用新型可以克服阳极污染、暗区放电的缺点,提高了离子源的使用效率,能有效执行工件镀前处理和镀膜过程的离子束辅助作用。
搜索关键词: 霍尔 离子源
【主权项】:
1.一种霍尔型离子源,其特征在于,包括阳极,通过固定栓悬浮布置在阳极上方的阴极,以及用于将电、气、冷却介质引入到阳极和阴极中的电、气、冷却介质引入组件,其中由高导热材料制成的所述阳极与所述电、气冷却介质引入组件直接相连,且所述阳极表面已采用导电薄膜进行改性。
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