[实用新型]霍尔型离子源无效
申请号: | 200620137860.0 | 申请日: | 2006-09-28 |
公开(公告)号: | CN201160064Y | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 杨东升;王琼先;叶军;何欣 | 申请(专利权)人: | 北京镨玛时代科技有限公司 |
主分类号: | H01J27/02 | 分类号: | H01J27/02;H01J37/08;C23C14/46 |
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地址: | 102206北京市大兴区工业*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种离子源,包括阳极,通过固定栓悬浮布置在阳极上方的阴极,及将电、气、冷却介质引入到阳极和阴极中的电、气、冷却介质引入组件,其中,由高导热材料制成的阳极被由电、气、冷却介质引入组件所引入的冷却介质进行直接冷却,且阳极表面采用导电薄膜进行改性;阳极采取严格屏蔽方式且屏蔽间隙小于暗区距离;由金属玻纹管或其他密封结构将用于引入电、气、冷却介质的管线引入真空室,防止异常放电;本实用新型的屏蔽外壳可悬浮或被施加不同电位,以控制屏蔽外壳对离子的吸收数量,改善离子束的分布状态。本实用新型可以克服阳极污染、暗区放电的缺点,提高了离子源的使用效率,能有效执行工件镀前处理和镀膜过程的离子束辅助作用。 | ||
搜索关键词: | 霍尔 离子源 | ||
【主权项】:
1.一种霍尔型离子源,其特征在于,包括阳极,通过固定栓悬浮布置在阳极上方的阴极,以及用于将电、气、冷却介质引入到阳极和阴极中的电、气、冷却介质引入组件,其中由高导热材料制成的所述阳极与所述电、气冷却介质引入组件直接相连,且所述阳极表面已采用导电薄膜进行改性。
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