[实用新型]导电构件之间的屏蔽构造无效

专利信息
申请号: 200620138474.3 申请日: 2006-09-01
公开(公告)号: CN200950722Y 公开(公告)日: 2007-09-19
发明(设计)人: 黄钦雄;刘允昱;黄明卿;郑家茂 申请(专利权)人: 建舜电子制造股份有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;G12B17/02
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 代理人: 郑永康
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种导电构件之间的屏蔽构造,是在一分布于绝缘座体的相邻两导电构件间,置入一金属屏蔽体,以隔开两相邻的导电构件,借此以遮阻两相邻导电构件间的电磁干扰,以维持导电的稳定;其中绝缘座体,是设有多个承接穴,以分别跨接一导电构件。本实用新型是在一分布于绝缘座体的相邻两导电构件间,置入一金属屏蔽体,以隔开两相邻的导电构件,借此以屏蔽两相邻导电构件间的电磁干扰,维持导电的稳定。
搜索关键词: 导电 构件 之间 屏蔽 构造
【主权项】:
1.一种导电构件之间的屏蔽构造,其特征在于,是在一分布于绝缘座体的相邻两导电构件间,置入一金属屏蔽体,以隔开两相邻的导电构件。
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