[实用新型]低压瞬态电压抑制二极管芯片无效
| 申请号： | 200620140021.4 | 申请日： | 2006-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN200972861Y | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 谢晓东;保爱林 | 申请（专利权）人： | 绍兴科盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人： | 徐关寿 |
| 地址： | 312000浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低压瞬态电压抑制二极管芯片。它包括芯片体，玻璃保护层及PN结，在玻璃保护层旁的PN结的边缘部分向下延伸。本实用新型具有边缘的击穿场强小，可大幅度降低漏电流等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 瞬态 电压 抑制 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种低压瞬态电压抑制二极管芯片，包括芯片体(1)，玻璃保护层(2)及PN结(3)，其特征在于：在玻璃保护层(2)旁的PN结的边缘部分(4)向下延伸。
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