[实用新型]温梯法晶体生长系统无效
| 申请号： | 200620162405.6 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN200992591Y | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 万尤宝 | 申请（专利权）人： | 万尤宝 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 季良赳;杨润周 |
| 地址： | 314001浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层，耐火层高度为炉膛总高度的2/3－5/6；发热体位于炉膛1/4－1/2高度处，炉膛为长方体，可以同时容纳多坩埚晶体生长。本实用新型能保证掺杂浓度，并且能够均匀掺杂，可广泛应用于晶体生长领域。 | ||
| 搜索关键词： | 温梯法 晶体生长 系统 | ||
【主权项】：
1、一种温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装置，其中晶体炉包括炉体、炉膛和发热体；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层，其特征在于：所述的耐火层高度为炉膛总高度的2/3-5/6；所述的发热体位于炉膛1/4-1/2高度处。
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