[实用新型]冷盘盘体结构无效
| 申请号： | 200620168328.5 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN201011654Y | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 张怀东 | 申请（专利权）人： | 沈阳芯源先进半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;F25B21/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110168辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种冷盘盘体结构，具有上盘、下盘及冷却装置，具体为上盘与下盘间夹设半导体制冷模块结构，并分别在半导体制冷模块与上盘和半导体制冷模块与下盘中间夹设硅脂层，所述上盘中嵌有PT100的温度传感器，在上、下盘侧表面外部涂设密封硅胶层；另外，下盘中设冷却水管。本实用新型结构简单且可节约成本，特别能满足半导体晶片加工对于温度控制的高精度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 盘盘 结构 | ||
【主权项】：
1.一种冷盘盘体结构，具有上盘(3)、下盘(8)及冷却装置，其特征在于：为上盘(3)与下盘(8)间夹设半导体制冷模块(5)结构，并分别在半导体制冷模块(5)与上盘(3)和半导体制冷模块(5)与下盘(8)中间夹设硅脂层(6)，所述上盘(3)中嵌有PT100的温度传感器(7)，在上、下盘侧表面外部涂设密封硅胶层(2)；另外，下盘(8)中设冷却水管(1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳芯源先进半导体技术有限公司，未经沈阳芯源先进半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200620168328.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
