[实用新型]一种纳米硅太阳能薄膜电池无效
申请号: | 200620170685.5 | 申请日: | 2006-12-21 |
公开(公告)号: | CN201054355Y | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 何宇亮;王树娟 | 申请(专利权)人: | 何宇亮;王树娟 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210000江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种纳米硅太阳能薄膜电池,它由玻璃和单晶硅底层、依次设置在底层上的导电膜、非晶硅薄膜、N型纳米硅薄膜和透明金属电极及梳状电极等组成,其主要特征是非晶硅薄膜层与N型纳米硅薄膜层间增设有变能隙纳米层。透明金属电极及梳状电极与N型纳米硅薄膜层间增设有非晶硅薄膜层。本实用新型生产成本低廉,可有效克服非晶硅薄膜太阳能电池工作时难以克服的不稳定性,提高转换效率η值。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 太阳能 薄膜 电池 | ||
【主权项】:
1.一种纳米硅太阳能薄膜电池,包括底层(1),依次设置在底层(1)上的导电膜(2)、非晶硅薄膜(3)、N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7),其特征为非晶硅薄膜(3)和N型纳米硅薄膜(5)之间设有变能隙纳米膜(4),N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7)之间设有非晶硅薄膜(6)。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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