[发明专利]氧化铈研磨剂以及包含该研磨剂的浆料有效
申请号: | 200680000046.7 | 申请日: | 2006-01-24 |
公开(公告)号: | CN101006153A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 鲁埈硕;吴明焕;金长烈;金钟泌;曹升范 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱梅;徐志明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种用于选择性抛光各种SiO2膜和SiO2-Si3N4膜的氧化铈研磨剂;以及包含该研磨剂的浆料。由于采用具有六方晶体结构的六方碳酸铈作为铈的原料合成具有5nm或更小平均晶体粒度的多晶氧化铈,所以本发明的氧化铈研磨剂和抛光浆料具有高抛光速度,并且在抛光时抛光表面也无微痕。 | ||
搜索关键词: | 氧化 研磨剂 以及 包含 浆料 | ||
【主权项】:
1、一种多晶氧化铈粉末,其特征在于,该粉末采用具有六方晶体结构的碳酸铈作为原料进行塑化,并且由平均粒度小于5nm的初始晶体颗粒组成,该粉末具有30-1000nm的平均粒度。
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