[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 200680000077.2 | 申请日： | 2006-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1943036A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/04;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;经志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体元件(10)具有：形成于N－型基区(11)内的P型基区(13)；以及在P型基区(13)内相互隔开地形成多个的N+型发射区(14)。N+型发射区(14)形成为：N+型发射区(14)在半导体元件(10)的中心部占P型基区(13)的面积比例，小于N+型发射区(14)在半导体元件(10)的周边部占P型基区(13)的面积比例。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：半导体基体，具有：第一导电型的第一半导体区、在前述第一半导体区的表面区域形成的第二导电型的第二半导体区、和在前述第二半导体区的表面区域形成的第一导电型的第三半导体区；以及第一电极，形成在被前述第一半导体区与前述第三半导体区夹着的前述第二半导体区上，该半导体元件的特征在于：在前述半导体基体的中心侧形成有第一区域，在该第一区域，前述第三半导体区与前述第二半导体区之比为第一比例，在前述半导体基体的外周侧，包围前述第一区域地形成有第二区域，在该第二区域，前述第三半导体区与前述第二半导体区之比为大于前述第一比例的第二比例。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社，未经三垦电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680000077.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：酸性饮料组合物和利用含水蛋白组分制造它的方法
- 下一篇：半导体发光元件
- 同类专利
- 专利分类
