[发明专利]等离子处理装置有效
申请号: | 200680000112.0 | 申请日: | 2006-02-10 |
公开(公告)号: | CN1943012A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 是永哲雄;永留隆二 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677;H01J37/32;H05K13/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王冉;王景刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在通过将衬底(11)容纳在处理腔(6)中而实现等离子处理的等离子处理装置中,由陶瓷制成的固定引导件(12)和可移动引导件(13)沿Y方向(沿衬底运输方向)排列,以引导保持在陶瓷制成的安装板(10)上的衬底的两个侧端部,并且可移动引导件(13)的两个端部由支撑构件支撑。在该构造中,这些支撑构件安装到沿Y方向布置的固定构件(15A和15B)上,安装板(10)设置在所述固定构件(15A和15B)之间,从而Y方向上的间距可调整。因此,陶瓷制成的引导构件(13)可以安装和拆卸,而不需要直接对其进行螺栓连接,并且可以通过将具有不同宽度尺寸的多产品薄类型衬底用作目标来防止产生不正常放电。 | ||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】:
1、一种用于在处理腔中对衬底表面进行等离子处理的等离子处理装置,其包括:基部,其形成所述处理腔的底部;箱形构件,其下表面侧敞开,并且下端部抵靠在所述基部顶部上的基部表面上,以形成所述处理腔;电极部,其经由绝缘体安装在所述基部上,并且其上表面暴露在所述处理腔中;衬底安装部,该衬底安装部构成所述电极部的上部并且其上表面由陶瓷覆盖;等离子产生装置,其产生用于在所述处理腔中等离子处理的等离子;多个条形陶瓷引导构件,其沿衬底运输方向设置在所述衬底安装部的上表面上,并且适于引导安装于所述衬底安装部上的衬底的侧端表面;以及引导构件保持装置,其用于保持所述引导构件的纵向两个端部,其中所述引导构件保持装置包括:一对固定构件,该一对固定构件沿与所述衬底运输方向成直角的横向方向沿所述衬底安装部的外边缘固定地设置在所述基部上,多个支撑构件,其在所述衬底运输方向上的位置由所述固定构件定位,并且所述多个支撑构件适于支撑所述引导构件的两个端部,以及安装装置,该安装装置用于将所述多个支撑构件安装在所述固定构件上,以使得横向上的间距可调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造