[发明专利]氧化物超导体原料的制造方法、氧化物超导线材的制造方法及超导装置有效
| 申请号： | 200680000237.3 | 申请日： | 2006-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1956926A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 绫井直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C01G1/00 | 分类号： | C01G1/00;H01B12/10;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明披露了一种制造氧化物超导体原料的方法，该方法包括以下步骤：(a)在溶液中使含有构成氧化物超导体的原子的材料离子化；(b)在第一气氛中喷射所述溶液以除去溶剂，由此制造含有所述构成所述氧化物超导体的原子的粉末；和(c)在导入有冷却气的第二气氛中，冷却所述粉末；其中所述第二气氛中的二氧化碳浓度比含有被除去的溶剂成分的第一气氛中的二氧化碳浓度要低；所述第二气氛中的氮氧化物浓度比含有被除去的溶剂成分的第一气氛中的氮氧化物浓度要低；以及所述第二气氛中的水蒸气浓度比含有被除去的溶剂成分的第一气氛中的水蒸气浓度要低。所述规定使得所述方法能够提高氧化物超导体的密度和纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 超导体 原料 制造 方法 超导 线材 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造氧化物超导体原料的方法，该方法包括以下步骤：(a)在溶液中使含有构成氧化物超导体的原子的材料离子化；(b)在第一气氛中喷射所述溶液以除去溶剂，由此制造含有所述构成所述氧化物超导体的原子的粉末；和(c)在导入有冷却气的第二气氛中，冷却所述粉末；其中所述第二气氛中的二氧化碳浓度比含有被除去的溶剂成分的第一气氛中的二氧化碳浓度要低；所述第二气氛中的氮氧化物浓度比含有被除去的溶剂成分的第一气氛中的氮氧化物浓度要低；以及所述第二气氛中的水蒸气浓度比含有被除去的溶剂成分的第一气氛中的水蒸气浓度要低。
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