[发明专利]可变波长半导体激光元件及其制造方法,使用该元件的气体检测器无效

专利信息
申请号: 200680000256.6 申请日: 2006-03-17
公开(公告)号: CN1957508A 公开(公告)日: 2007-05-02
发明(设计)人: 森浩 申请(专利权)人: 安立股份有限公司
主分类号: H01S5/125 分类号: H01S5/125;H01S5/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种可变波长半导体激光器元件,包括:波长控制区域,形成在光波导中并至少部分地设置有衍射光栅,该光波导包括形成在半导体衬底上的有源层并引导该有源层中产生的光,该衍射光栅用于从该有源层产生的光选择具有预定波长的光;第一和第二驱动电极,具有盖层和形成在该盖层上的绝缘层,且形成在该半导体衬底之下和该盖层之上;加热部分,形成在该绝缘层上且至少部分地加热该波长控制区域;第一和第二加热端子,设置在该加热部分;以及第一和第二连接线,用于通过电源串联连接该第一和第二驱动电极。该可变波长半导体激光器通过改变从该电源施加到通过该加热部分串联连接的该第一和第二连接线的电流可控制从该光波导传出的光的波长。
搜索关键词: 可变 波长 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 使用 气体 检测器
【主权项】:
1.一种可调半导体激光器,特征在于包括:半导体衬底;形成在该半导体衬底上并产生光的有源层;波长控制区域,其形成为包括该有源层,形成在光波导中,且在至少一部分中包括衍射光栅,该光波导引导该有源层产生的光,该衍射光栅从该有源层产生的光选择具有预定波长的光;形成在该光波导上方的盖层;形成在该盖层上方的绝缘膜;形成在该半导体衬底下面的第一驱动电极;形成在该盖层上方的第二驱动电极;加热部分,形成在该绝缘膜上方并用于加热该波长控制区域的至少一部分;设置在该加热部分中的第一加热端子和第二加热端子;连接在该第二驱动电极和该第一加热端子之间的第一连接线;以及通过电源连接在该第一驱动电极和该第二加热端子之间的第二连接线,其中调节从该电源提供到通过该加热部分串联连接的该第一和第二连接线的电流,由此可以控制从该光波导传送到外部的光的波长。
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