[发明专利]氮化镓晶圆无效
| 申请号： | 200680000265.5 | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1977359A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 中山雅博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/38;C30B25/04;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓晶圆11，其具有实质上的圆形。氮化镓晶圆11包含：多个条纹区域13、多个单晶区域15和可目视确认的标记17。各条纹区域13，表示<11－20>轴的方向且在规定轴方向上延伸。各条纹区域13夹在单晶区域15之间。标记17设在该氮化镓晶圆11的表面11a及背面11b的至少任一面上，具有可识别的大小及形状。条纹区域13的错位密度较单晶区域15的错位密度大，且条纹区域13的结晶取向不同于单晶区域15的结晶取向。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓晶圆 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓晶圆，具有实质上的圆形，其特征在于，包含：多个条纹区域，表示<11-20>轴和<1-100>轴中的任一结晶轴的方向并在规定轴方向上延伸；多个单晶区域，其由该条纹区域相互间隔；和可目视确认的标记，其设在该氮化镓晶圆的表面及背面的至少任一面，所述条纹区域以及所述单晶区域显现在该氮化镓晶圆的表面，所述条纹区域的错位密度较所述单晶区域的错位密度大，所述条纹区域的结晶取向不同于所述单晶区域的结晶取向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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