[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200680000267.4 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1957510A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 长谷川义晃;石桥明彦;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体装置，该氮化物半导体装置(100)具备：n－GaN基板(1)；形成于n－GaN基板(1)的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与半导体叠层构造中所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)；设于基板(1)的背面的n侧电极(34)。基板(1)的背面包括粗糙区域(40a)和平坦区域(40b)，n侧电极(34)将粗糙区域(40a)的至少一部分覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体装置，是具备：含有n型杂质的氮化物类半导体基板；形成于所述半导体基板的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与所述半导体叠层构造中所含的所述p型区域的一部分接触的p侧电极；设于所述半导体基板的背面的n侧电极的氮化物半导体装置，其中，所述半导体基板的背面包括平坦区域和粗糙区域，所述n侧电极将所述粗糙区域的至少一部分覆盖。
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