[发明专利]干蚀刻方法、微细结构形成方法、模板及模板的制造方法无效
| 申请号： | 200680000516.X | 申请日： | 2006-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1993303A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 中川秀夫;屉子胜;村上友康 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C04B41/91 | 分类号： | C04B41/91;C23F4/00;G02B6/13;C03B11/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用由含氯原子的气体生成的等离子体50对WC基板7进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 微细 结构 形成 模板 制造 | ||
【主权项】：
1.一种干蚀刻方法，其特征在于：使用由含氯原子的气体生成的等离子体对含钨和碳的物体进行蚀刻。
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