[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底有效
| 申请号： | 200680000560.0 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1993834A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 三浦广平;木山诚;樱田隆 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种III族氮化物半导体器件，该半导体器件具有可以提高击穿电压的结构。肖特基二极管(11)由III族氮化物支撑衬底(13)、氮化镓区(15)以及肖特基电极(17)构成。III族氮化物支撑衬底(13)具有导电性。肖特基电极(17)在氮化镓区(15)上形成肖特基结。氮化镓区(15)被制造在III族氮化物支撑衬底(13)的主面(13a)上。氮化镓区(15)具有100秒以下的(1012)－面XRD半峰全宽。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 外延 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种具有肖特基结的III族氮化物半导体器件，该III族氮化物半导体器件的特征在于具有：具有导电性的III族氮化物支撑衬底；设置在所述III族氮化物支撑衬底的主面上并且具有100秒或以下的(1012)-面XRD半峰全宽的氮化镓区；以及在所述氮化镓区上构成肖特基结的肖特基电极。
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