[发明专利]半导体激光装置及其制造方法

摘要

一种脊条形半导体激光装置，在半导体衬底(102)上具备第1导电型的包覆层(103)、有源层(104)、第2导电型的第1包覆层(105)、用来进行水平横向的光封闭的脊形条状的第2导电型的第2包覆层(108)、和除了上述脊上的至少一部分以外形成的电流阻挡层(107)，在与上述脊的条方向垂直的剖面形状中，上述脊的两侧面分别具有相对于半导体衬底表面大致垂直且从上述脊的上端向下方延伸的第1面(118)、和在脊麓部分由朝脊外侧向斜下方方向倾斜的大致直线状的麓部分倾斜面构成的第2面(119)；第1面与第2面直接连接，或者经由第3中间面连接；在第2面上，构成上述第2包覆层的半导体的(111)面露出。在本发明中，能够提供高纽结水平、低动作电流的高输出半导体激光装置。

主权项

1、一种脊条形半导体激光装置，在化合物半导体衬底上具备第1导电型的包覆层、有源层、第2导电型的第1包覆层、蚀刻阻止层、形成在条状的脊上的第2导电型的第2包覆层、以及除上述脊上的至少一部分以外而形成的电流阻挡层，其特征是，在与上述脊的条方向垂直的剖面形状中，上述脊的两侧面分别具有相对于半导体衬底表面大致垂直且从上述脊的上端向下方延伸的第1面、和在脊麓部分由朝脊外侧向斜下方方向倾斜的大致直线状的麓部分倾斜面构成的第2面；上述第1面与上述第2面(a)直接连接，或者(b)上述第1面与上述第2面经由第3中间面连接；上述第3中间面(b1)是向脊外侧伸出的状态的、与上述半导体衬底表面大致平行、在上述剖面中长度为0.2μm以下的大致直线状的阶差台阶面，或者(b2)经由朝下方斜向地向脊外侧伸出的直线状、或者向脊内侧方向凸的曲线状的倾斜中间面连接；在上述第2面，构成上述第2包覆层的半导体的(111)面露出。