[发明专利]成膜装置和成膜方法无效
| 申请号： | 200680000633.6 | 申请日： | 2006-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101006194A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 吉井直树;松泽兴明;小岛康彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/44;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Cu的原料物质，在基板上形成第一阶段的Cu膜的工序；和使用一价Cu的原料物质，在所述第一阶段的Cu膜上形成第二阶段的Cu膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Cu的原料物质，在基板上形成第一阶段的Cu膜的工序；和使用一价Cu的原料物质，在所述第一阶段的Cu膜上形成第二阶段的Cu膜的工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
