[发明专利]半导体制造装置、半导体制造装置的流量修正方法和程序有效
申请号: | 200680000931.5 | 申请日: | 2006-06-28 |
公开(公告)号: | CN101032008A | 公开(公告)日: | 2007-09-05 |
发明(设计)人: | 守谷修司;冈部庸之;衣斐宽之;清水哲夫;北川均 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02;H01L21/205;G01F1/00;G05D7/06 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体制造装置,能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正,包括:将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210),比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压,控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300),控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置,在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压,在MFC中设定修正的设定电压。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 流量 修正 方法 程序 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,其特征在于,包括:对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部;将气体供给到所述处理部内的气体供给路;设置在所述气体供给路,比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压,控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器;分别设置在所述流量控制器的上游侧与下游侧的截止阀;以及在所述流量控制器中设定对应于由所述气体供给路所供给的气体的气体流量的设定电压的控制部,其中,所述控制部在实行基板处理前,预先至少利用基板处理时所使用的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压,并将该输出电压储存于存储装置,在实行基板处理时,基于储存于所述存储装置的所述流量控制器的输出电压修正对应于基板处理时所使用的气体的气体流量的设定电压,并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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