[发明专利]半导体器件以及其制造方法有效
| 申请号： | 200680001013.4 | 申请日： | 2006-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101040386A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L21/3205;H01L23/52;H01L25/04;H01L27/00;H01L27/04;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 能够通过焊锡良好地固定下部IGBT和上部IGBT，同时牢固地连接下部IGBT和引线，形成可靠性高的半导体器件。具备：形成在下部IGBT(1)的下部电极层(5)、形成在下部电极层(5)上的上部电极层(6)、固定在上部电极层(6)的上部半导体元件(2)、以及连接上部电极层(6)和上部IGBT(2)的焊锡(7)。由不同的材质构成下部电极层(5)和上部电极层(6)，在下部电极层(5)的上面(5a)设置从设在上部电极层(6)的缺口部部分地露出在外部的接线区域(15)，在接线区域(15)连接细线(8)。可以利用焊锡附着性出色的材质形成上部电极层(6)，利用与引线(8)连接强度高的材质形成下部电极层(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：下部半导体元件、形成在该下部半导体元件的上面的下部电极层、形成在该下部电极层的上面的上部电极层、固定在该上部电极层的上面的上部半导体元件、以及固定所述上部电极层和所述上部半导体元件的粘接剂层，所述下部电极层的上面和所述上部电极层的上面由不同的材质形成，在所述下部电极层的上面设置从所述上部电极层部分地露出在外部的接线区域，在所述接线区域连接了细导线的端部。
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