[发明专利]照射形状的测量方法、掩模有效
| 申请号： | 200680001029.5 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101040367A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 近藤信二郎 | 申请（专利权）人： | 尼康股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/08 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种照射形状的测量方法，包含以下步骤：将主尺标记(32)按照既定排列依序曝光于基板上，然后将以既定排列配置的多个主尺标记(32)构成的基准格子，形成于基板上的至少一个照射区域内；将具有在照射区域内以既定排列配置的多个副尺标记(34)的被测量照射，透过投影光学系统曝光于基板上；测量相邻的主尺标记(32)彼此的相对位置关系；测量主尺标记(32)与副尺标记(34)的偏移量；及根据相对位置关系来校正基准格子，且从校正后的基准格子与偏移量算出被测量照射的照射形状。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 形状 测量方法 掩模 | ||
【主权项】：
1、一种照射形状的测量方法，其特征在于包含以下步骤：将主尺标记按照既定排列依序曝光于基板上，然后将以该既定排列配置的多个该主尺标记构成的基准格子，形成于基板上的至少一个照射区域内；将具有在该照射区域内以该既定排列配置的多个副尺标记的被测量照射，透过投影光学系统曝光于基板上；测量相邻的主尺标记彼此的相对位置关系；测量该主尺标记与副尺标记的偏移量；及根据该相对位置关系来校正该基准格子，且从校正后的基准格子与该偏移量算出该被测量照射的照射形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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