[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种制造半导体芯片的方法，该方法是通过从半导体晶片切割单个半导体器件而进行的，利用研磨头机械掩膜为等离子体切割而形成的掩膜，在等离子体切割中，通过进行等离子体蚀刻分割半导体晶片。于是，通过利用机械研磨去除用于等离子体切割的掩膜，防止了在去除掩膜时产生反应产物，使得切割可以在不会由于积累颗粒而导致质量下降的情况下进行。

主权项

1.一种制造半导体芯片的方法，该方法通过从半导体晶片中切割单个半导体器件而进行，在该半导体晶片中，半导体器件分别形成在有切割线分隔的多个区域内，所述方法包括以下步骤：保护带粘贴步骤：能够被剥离的保护带粘贴到半导体晶片的半导体器件形成面上；背面研磨步骤：研磨半导体晶片中的与其上粘贴保护带的表面相对的背面，以便减薄半导体晶片；掩膜形成步骤：在背面掩膜步骤之后，在半导体晶片的背面上形成覆盖所述多个区域的掩膜；等离子体切割步骤：通过从其上形成掩膜的半导体晶片一侧产生等离子体，以去除半导体晶片中的没有被掩膜覆盖的部分，将半导体晶片切割成多个半导体芯片，每个半导体芯片对应于单个半导体器件；掩膜去除步骤：在等离子体切割步骤之后，通过研磨其上形成掩膜的背面来去除掩膜；损坏层去除步骤：去除在掩膜去除步骤中形成在所述背面上的损坏层；以及带释放步骤：从切割的半导体芯片上释放保护带。