[发明专利]碳化硅衬底的表面重建方法无效
| 申请号： | 200680001088.2 | 申请日： | 2006-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101052754A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C14/14;C23C16/24;C30B33/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳化硅衬底(1)的表面重建方法，该方法包括：在碳化硅衬底(1)表面形成硅膜(2)的硅膜形成步骤和在没有在硅膜(2)表面上提供多晶碳化硅衬底的情况下，热处理碳化硅衬底(1)和硅膜(2)的热处理步骤。此处，在热处理步骤后，可以包括去除硅膜(2)的硅膜去除步骤。另外，可以包括：在热处理步骤后氧化硅膜(2)以产生氧化硅膜的氧化硅膜形成步骤，以及去除氧化硅膜的氧化硅膜去除步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 表面 重建 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅衬底(1)的表面重建方法，该方法包括：在碳化硅衬底(1)的表面形成硅膜(2)的硅膜形成步骤；和在没有在所述硅膜(2)表面上提供多晶碳化硅衬底的情况下，热处理所述碳化硅衬底(1)和所述硅膜(2)的热处理步骤。
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