[发明专利]灰阶掩模用坯料、以及采用该坯料的灰阶掩模以及该坯料的制造方法无效
| 申请号： | 200680001225.2 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101061431A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 山田文彦;尾崎俊治;平元豪 | 申请（专利权）人： | 爱发科成膜株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及灰阶掩模用坯料，在具有遮光部、开口部、半透光部的图案的灰阶掩模用坯料中，具有直接或间接附着在透明基板的表面上形成的遮光膜以及半透光膜，遮光膜以及半透光膜的金属成分的组成不同。另外，本发明涉及灰阶掩模的制造方法，包括使用具有相同刻蚀速度的第一刻蚀液刻蚀遮光膜以及半透光膜，进一步，使用不刻蚀半透光膜只是选择性地刻蚀遮光膜的第二刻蚀液进行半刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 灰阶掩模用 坯料 以及 采用 灰阶掩模 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.灰阶掩模用坯料，其特征在于，在具有含遮光部、开口部和半透光部的图案的灰阶掩模用坯料中，具有直接或间接附着在透明基板的表面上形成的遮光膜以及半透光膜，遮光膜以及半透光膜的金属成分的组成不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱发科成膜株式会社，未经爱发科成膜株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680001225.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：折叠式六面球体深孔爆破装药隔渣器
- 下一篇：减速马达的防漏油构造
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
