[发明专利]能够在低温度下使液体原料气化的液体原料的气化方法与采用了该方法的气化器有效
申请号: | 200680001246.4 | 申请日: | 2006-09-06 |
公开(公告)号: | CN101061257A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 小野弘文 | 申请(专利权)人: | 琳科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;H01L21/205 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王健 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题在于提供能在低温下将供于CVD装置中成膜的液体原料气化的气化器。气化器(10)具有:被加热器(66)、(76)及(81)加热的气化室(60),配置在气化室(60)的下端部、被加热器(81)加热的一次过滤器(80),从气化室(60)的上方向一次过滤器(80)滴下流量调节后的液体原料(LM)的液体原料供给部(24),向一次过滤器(80)的下面导入载气(CG)的载气导入流路(78),和从气化室(60)的上部排出载气(CG)与气化的液体原料(VM)的混合气(VM+CG)的原料导出流路(62)。滴到一次过滤器(80)上的液体原料(LM)一部分被气化,又受到来自下方的载气(CG)产生的鼓泡作用而成为雾状。由于雾的表面积比非雾状态大,故液体原料(LM)能高效率地受热,能在低温下将液体原料(LM)气化。 | ||
搜索关键词: | 能够 温度 液体 原料 气化 方法 采用 | ||
【主权项】:
1.液体原料的气化方法,其特征在于,向配置在被加热器加热的气化室的下端部的一次过滤器的下面导入载气,向前述一次过滤器滴下或流下流量调节后的液体原料,将前述液体原料在前述一次过滤器与前述液体原料的润湿面利用来自加热器的热进行气化,同时通过与前述载气混合而雾化,使气化和雾化的前述液体原料随前述载气一起从前述气化室的上部排出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的