[发明专利]光学传感器电路和图像传感器无效
| 申请号： | 200680001403.1 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101080922A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 神山智幸;筱塚典之;国头正树;古川诚 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光学传感器电路包括光电二极管(PD)、MOS晶体管(Q1)、将栅极电压和漏极电压供应给晶体管的电压控制器(13)等。电压控制器包括初始设置装置(15)，其在预定时间内将晶体管(Q1)的栅极电压设置成高栅极电压值VgH而在预定时间内将漏极电压设置成低漏极电压值VdL，由此对光电二极管的电容单元进行充电和放电。随后，初始设置装置(15)在预定时间内将漏极电压设置成VdH，而随后将栅极电压设置成VgL。VgH、VdH和VdL满足关系表达式“VgH－VdH＜Vth和VgH－VdL＞Vth，其中Vth是MOS晶体管(Q1)的阈值电压”。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 传感器 电路 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种光学传感器电路，包括：光电转换器件，其包括存储电荷的静电电容单元，并且其将光信号转换成电流信号；转换MOS晶体管，用于将从所述光电转换器件输出的所述电流信号转换成在弱反相状态下具有对数特性的电压信号；以及控制装置，用于将栅极电压供应到所述MOS晶体管的栅极以及将漏极电压供应到所述MOS晶体管的漏极，其中所述控制装置具有用于执行初始设置的初始设置装置，在所述初始设置中，在仅在第一预定时间段将所述转换MOS晶体管的所述栅极电压设置成高栅极电压值(VgH)，而仅在第二预定时间段将所述漏极电压设置成低漏极电压值(VdL)的同时，对所述光电转换器件的所述静电电容单元进行充电/放电，随后将所述漏极电压设置成高漏极电压值(VdH)，在经过第三预定时间段之后，所述栅极电压被设置成低栅极电压值(VgL)，而所述高栅极电压值(VgH)、所述高漏极电压值(VdH)和所述低漏极电压值(VdL)被设置成满足如下关系表达式：“VgH-VdH＜Vth和VgH-VdL＞Vth，其中Vth为所述转换MOS晶体管的阈值电压”。
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