[发明专利]钽氮化物膜的形成方法

摘要

本发明通过在真空室内导入含有在钽元素(Ta)的周围配位N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1－6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体，使其在基板上吸附后，导入含有氧原子的气体，生成TaO_xN_y(R，R′)_z，然后导入活性化的反应气体，将Ta上键合的氧还原，并且，将N上键合的R(R′)基切断除去，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供具有C、N含量低、并且Ta/N组成比高，并且作为确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻的钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。

主权项

1.钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，在真空室内，导入含有在钽元素(Ta)的周围配位N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体以及含氧原子的气体，在基板上形成含有TaOxNy(R，R′)z化合物的一个原子层或数个原子层的表面吸附膜，然后导入从含H原子的气体生成的自由基，将与上述生成化合物中的Ta键合的氧还原，并且，将与N键合的R(R′)基切断除去，形成富含钽的钽氮化物膜。