[发明专利]制造氮化栅极电介质的方法无效
| 申请号： | 200680001528.4 | 申请日： | 2006-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101124665A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林尚羽;保罗·A·格鲁德斯基;骆典应;奥路班密·O·艾蒂图图;星·H·曾 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用氮化步骤(16)和退火处理栅极电介质(14)。此后，执行另外的氮化步骤(20)和退火。第二氮化(20)和退火导致最终形成的晶体管(60)的栅极漏电流密度和电流驱动之间关系的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化 栅极 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成栅极氮化电介质的方法，包括：在衬底上面形成电介质层；将电介质层暴露于等离子体氮化，以形成等离子体氮化电介质层；通过退火栅极氮化电介质，以从衬底和等离子体氮化电介质层之间的界面中置换一部分氮，而在界面处形成氧化物层，从而形成原子上更平滑的界面；再次将电介质层暴露于等离子体氮化，以添加更多的氮到等离子体氮化电介质层；以及退火栅极氮化电介质，以通过进一步平滑界面来处理衬底和等离子体氮化电介质层之间的界面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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