[发明专利]浮法硅晶片的制作工艺和设备无效
| 申请号： | 200680001905.4 | 申请日： | 2006-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101133194A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 靳永钢 | 申请（专利权）人： | 靳永钢 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 山西太原科卫专利事务所 | 代理人： | 温彪飞 |
| 地址： | 030006山西省太原市南外*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种浮法硅晶片的制作工艺，采取融熔、结晶成型、打磨切割连续工艺制取。将硅原料通过加料装置(1)加入到坩锅(2)中，坩锅内的温度设在高于硅熔点1421℃以上，固态的硅原料在1421℃以上熔化成液态硅，液态硅上方经加料口连续排除氩气或其他惰性气体，结晶区料槽(4)与坩锅排液口(3)相连通，槽内充满液态的锡金属或其他熔点低于硅熔点的合金为载体，靠近出料口温度高于硅的熔点1421℃，另一端的温度介于1421℃到400℃，当液态硅移至浮法成型区末端(4)时，液态硅会凝固成固态，结晶区上层相对靠近坩锅排液口(3)设置挡板(5)调节控制晶片的厚度，成型结晶硅片经冷却段(6)冷却、打磨抛光段(7)后，根据需要在切割晶片区(8)切割晶片。适用于浮法制取太阳能电池和半导体硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 浮法硅 晶片 制作 工艺 设备 | ||
【主权项】：
1.一种浮法硅晶片的制作工艺，其特征是采取融熔、结晶成型、打磨切割连续工艺制取：A：融熔硅原料，将硅原料通过加料装置(1)加入到坩锅(2)中，坩锅内的温度设在高于硅熔点1421℃以上，固态的硅原料在1421℃以上熔化成液态硅，液态硅上方经加料口连续排除氩气或其他惰性气体；B：结晶成型，结晶区料槽(4)与坩锅排液口(3)相连通，槽内充满液态的锡金属或其他熔点低于硅熔点的合金为载体，靠近出料口温度高于硅的熔点1421℃，另一端的温度介于1421℃到400℃，当液态硅移至浮法成型区末端(4)时，液态硅会凝固成固态，结晶区相应硅表面上层相对靠近坩锅排液口(3)设置的挡板(5)调节控制晶片的厚度；C：成型结晶硅片经冷却段(6)冷却、打磨抛光段(7)后，根据需要在切割晶片区(8)切割晶片。
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