[发明专利]通过粗糙化而改善光取出的发光二极管有效
| 申请号： | 200680002142.5 | 申请日： | 2006-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101103439A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 段忠;陈长安 | 申请（专利权）人： | 美商旭明国际股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明披露一种半导体发光二极管(LED)装置的制造系统与方法，其通过在LED装置上形成一n型氮化镓(n-GaN)层制造而成；以及使n-GaN层的表面粗糙化以自LED装置内部取出光。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 粗糙 改善 取出 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体垂直发光二极管(VLED)装置的制造方法，包含：形成该VLED装置的多层磊晶结构，其包含一n型氮化镓(n-GaN)层、一活性层、及一p型氮化镓(p-GaN)层；以及使该VLED装置的该n-GaN层的表面于水溶液中粗糙化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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