[发明专利]晶片支撑销组件无效
申请号: | 200680002470.5 | 申请日: | 2006-01-17 |
公开(公告)号: | CN101495668A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | K·丰杜鲁力亚;C·怀特 | 申请(专利权)人: | ASM美国公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23F1/00;H01L21/306 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体晶片支撑销组件。基座具有至少三个支撑销,其被配置以将晶片提升至基座顶部表面的上方。各支撑销包括上销和下销,上销和下销通过卡口座形式的快卸机构相互锁定。上销由非金属材料制成,诸如聚苯并咪唑。基座由电机或气压缸驱动的提升机构上下驱动。基座相对支撑销上下移动。 | ||
搜索关键词: | 晶片 支撑 组件 | ||
【主权项】:
1.一种用于加工半导体衬底的衬底支架,所述衬底支架具有多个从顶部表面延伸至底部表面的开口,所述衬底支架包含:多个支撑销,其中所述多个支撑销中的每个支撑销可滑动地安装在所述多个开口之一中,所述多个支撑销中的每个支撑销包含:上销;以及下销,其中所述上销通过卡口座与所述下销啮合。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的