[发明专利]包括功率二极管的集成电路无效
| 申请号： | 200680002560.4 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101151732A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 保罗·常;基恩－川·车尔恩;普罗扬·高希;韦恩·Y·W·赫;弗拉基米尔·罗多夫 | 申请（专利权）人： | 迪奥代斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;潘士霖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造包括功率二极管的半导体集成电路的方法，包括：提供第一导电性类型的半导体衬底；在所述衬底的第一区中制造集成电路如CMOS晶体管电路；并且在所述半导体衬底中的第二区中制造功率二极管。电介质材料在所述第一区和所述第二区之间形成，由此提供所述第一区中的集成电路和所述第二区中的功率二极管之间的电隔离。所述功率二极管可包括通过所述二极管的一个电极全部连接在一起的多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件，且所述第二区中的半导体层可起到所述功率二极管的另一源/漏的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 功率 二极管 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，包括：a)半导体衬底，具有第一导电性类型的材料，b)所述衬底中的第一区，在该第一区中制造集成电路，c)所述衬底中的第二区，具有第二导电性类型的材料，在该第二区中制造功率二极管，以及d)所述第一区和所述第二区之间的电介质材料，其提供所述第一区和所述第二区之间的电隔离。
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