[发明专利]透明导电膜淀积设备、用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积设备及其形成方法有效
申请号: | 200680002912.6 | 申请日: | 2006-01-20 |
公开(公告)号: | CN101107695A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 田中良明 | 申请(专利权)人: | 昭和砚壳石油株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/46;H01B13/00;H01L51/42 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁晓广;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 节省原料并增加膜淀积速度,同时保持膜的均匀度和较高的膜质量。提供一种用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积设备,其包括:基板附着部分;装料部分,在此执行抽空;多层淀积处理部分,其包括两个或更多淀积处理部分,用于通过在汽相下对有机金属化合物(乙二酸锌)、乙硼烷和水进行反应,利用MOCVD方法在基板上形成透明导电膜;基板取出部分;基板分离部分;以及定位器返回部分,在这里将基板定位器返回到基板附着部分。在将基板顺序地移动通过这些部分的同时接连地执行膜淀积。每个淀积处理部分设有用于喷射有机金属化合物、乙二酸锌和水的喷管以及设有用于对该喷管冷却的冷却机构。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 膜淀积 设备 用于 多层 连续 形成 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有膜淀积腔室的透明导电膜淀积设备,其中在抽空该腔室之后,在对基板进行加热的同时,利用金属有机化学汽相淀积(MOCVD)方法,将有机金属化合物(烷基锌Zn(CnH2n+1;n是整数)2,优选地为二乙基锌Zn(C2H5)2)、乙硼烷(B2H6)以及水(水汽)在汽相下进行反应,从而在基板上形成包括n型半导体的透明导电膜,其中使用乙硼烷和惰性气体分别作为电导率调节的掺杂剂和载气,以及使用有机金属化合物和纯水作为用于膜淀积的原料,并且在该设备内部设有一组板状构造的喷管,其包括管形喷管,这些喷管具有在其喷射侧上形成的喷射孔,用于同时地或分开地喷射包括有机金属化合物、乙硼烷和纯水的三种原料,并且这些喷管布置为在同一个平面内彼此相邻,且在它们之间不留下间隔,并且该设备进一步设有对该组喷管进行冷却的喷管冷却机构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和砚壳石油株式会社,未经昭和砚壳石油株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680002912.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:便携式终端
- 下一篇:包含具有矩形或方形截面的导线的布线印刷电路板或插件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造