[发明专利]透明导电膜淀积设备、用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积设备及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200680002912.6 申请日: 2006-01-20
公开(公告)号: CN101107695A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 田中良明 申请(专利权)人: 昭和砚壳石油株式会社
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/46;H01B13/00;H01L51/42
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 梁晓广;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 节省原料并增加膜淀积速度,同时保持膜的均匀度和较高的膜质量。提供一种用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积设备,其包括:基板附着部分;装料部分,在此执行抽空;多层淀积处理部分,其包括两个或更多淀积处理部分,用于通过在汽相下对有机金属化合物(乙二酸锌)、乙硼烷和水进行反应,利用MOCVD方法在基板上形成透明导电膜;基板取出部分;基板分离部分;以及定位器返回部分,在这里将基板定位器返回到基板附着部分。在将基板顺序地移动通过这些部分的同时接连地执行膜淀积。每个淀积处理部分设有用于喷射有机金属化合物、乙二酸锌和水的喷管以及设有用于对该喷管冷却的冷却机构。
搜索关键词: 透明 导电 膜淀积 设备 用于 多层 连续 形成 及其 方法
【主权项】:
1.一种具有膜淀积腔室的透明导电膜淀积设备,其中在抽空该腔室之后,在对基板进行加热的同时,利用金属有机化学汽相淀积(MOCVD)方法,将有机金属化合物(烷基锌Zn(CnH2n+1;n是整数)2,优选地为二乙基锌Zn(C2H5)2)、乙硼烷(B2H6)以及水(水汽)在汽相下进行反应,从而在基板上形成包括n型半导体的透明导电膜,其中使用乙硼烷和惰性气体分别作为电导率调节的掺杂剂和载气,以及使用有机金属化合物和纯水作为用于膜淀积的原料,并且在该设备内部设有一组板状构造的喷管,其包括管形喷管,这些喷管具有在其喷射侧上形成的喷射孔,用于同时地或分开地喷射包括有机金属化合物、乙硼烷和纯水的三种原料,并且这些喷管布置为在同一个平面内彼此相邻,且在它们之间不留下间隔,并且该设备进一步设有对该组喷管进行冷却的喷管冷却机构。
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