[发明专利]高性能FET器件和方法无效
| 申请号： | 200680003161.X | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101361189A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李泰锡;余阳仁;亨利·怀特 | 申请（专利权）人： | 莫克斯托尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有用于改进半导体场效应晶体管(FET)器件性能的栅极电压偏置源电路元件的外延层结构采用包括以下部分的结构：衬底；衬底上外延生长的n型或p型第一层半导体膜；衬底和第一层膜之间可能存在的缓冲层；在第一半导体层上外延生长的有源半导体层，有源层的导电类型与第一半导体层相反，所述有源层具有栅极区、源极区和漏极区，以及至栅极、源极和漏极区的电触点，足以形成FET；衬底或第一半导体层上的电触点；以及栅极电压偏置源电路元件，与栅极触点和衬底或第一半导体层电连接，具有足以提高器件性能的电压极性和幅度。可以将具有栅极电压偏置源电路元件的这种外延层结构用于改进半导体FET器件的功能和高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 fet 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有外延层结构的场效应晶体管FET，包括：n型单晶衬底；衬底上的n型外延第一半导体层；第一半导体层上的p型外延半导体层；p型半导体层上的两个欧姆触点，用于分别形成源极触点和漏极触点；位于源极触点和漏极触点之间的p型半导体层上的栅极触点，用于形成有源沟道层；n型衬底上形成的电触点；以及栅极电压偏置源电路元件，用于与衬底触点和栅极触点相连，具有足以提高FET的高频响应和操作性能的极性和幅度。
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