[发明专利]高耐热合成高分子化合物以及高耐电压半导体装置无效
| 申请号： | 200680003237.9 | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101107293A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 菅原良孝;东海林义和 | 申请（专利权）人： | 关西电力株式会社;株式会社艾迪科 |
| 主分类号： | C08G77/44 | 分类号： | C08G77/44;C08L83/10;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/744;H01L29/861;H01L31/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用合成高分子化合物覆盖宽隙半导体元件的外面。该合成高分子化合物具有三维立体结构，由通过加成反应生成的共价键将第三有机硅聚合物多个连接而构成，所述第三有机硅聚合物是至少一种第一有机硅聚合物和至少一种第二有机硅聚合物通过硅氧烷键(Si－O－Si键)连接而成的，并且，第一有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的交联结构，第二有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的线状连接结构。该合成高分子化合物中优选混合有热传导性高的绝缘性陶瓷微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 耐热 合成 高分子化合物 以及 电压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高耐热合成高分子化合物，其特征在于，其具有三维立体结构，由通过加成反应生成的共价键将第三有机硅聚合物多个连接而构成，所述第三有机硅聚合物是至少一种第一有机硅聚合物和至少一种第二有机硅聚合物通过硅氧烷键连接而成的，并且，第一有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的交联结构，第二有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的线状连接结构，第三有机硅聚合物具有2万～80万的分子量。
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