[发明专利]氮化物半导体元件和氮化物半导体结晶层的生长方法无效
| 申请号： | 200680003331.4 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101111945A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 中原健;田村谦太郎 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不需形成非晶体状的低温缓冲层，直接在基板上形成氮化物半导体的a轴和c轴两者均对齐的单晶层，在该单晶层上使氮化物半导体层外延生长的氮化物半导体发光元件、晶体管元件等的氮化物半导体元件，和直接生长该氮化物半导体单晶层的方法。在与氮化物半导体晶格不匹配的基板(1)上使氮化物半导体层(3)生长的情况下，在基板(1)上直接设置单晶缓冲层(2)，在该单晶缓冲层(2)上使氮化物半导体层(3)外延生长，该单晶缓冲层(2)由AlxGayIn1－x－yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)构成，AlxGayIn1－x－yN的a轴和c轴对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 结晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，其特征在于，具有：与氮化物半导体晶格不匹配的基板；和在该基板上生长的氮化物半导体层，在所述基板上直接设置单晶缓冲层，在该单晶缓冲层上使所述氮化物半导体层外延生长而得到，所述单晶缓冲层由AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)构成，该AlxGayIn1-x-yN的a轴和c轴对齐。
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