[发明专利]聚硅氮烷处理溶剂及用该溶剂处理聚硅氮烷的方法有效
申请号: | 200680003534.3 | 申请日: | 2006-02-01 |
公开(公告)号: | CN101111575A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 松尾英树;一山昌章;石川智规;青木宏幸;布鲁斯·凯克;约瑟夫·奥伯兰德 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料(日本)株式会社 |
主分类号: | C09D9/00 | 分类号: | C09D9/00;C11D7/24;C11D7/26;C11D7/50;B05D7/24;C01B21/068;C08G77/62;H01L21/312 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种聚硅氮烷处理溶剂,其具有优异的溶解力和稳定性,对于作为底层的基底和聚硅氮烷的性能没有影响,具有良好的切割边缘形状,另外对于人体是高度安全的。该处理溶剂包含从由四氢化萘,对薄荷烷,对异丙基苯甲烷,α-蒎烯,1,8-桉树脑及其混合物构成的组中选出的溶剂,还涉及使用该溶剂的聚硅氮烷处理方法。该溶剂还可包含从由脂肪族烃、脂环烃及其混合物构成的组中选出的溶剂。 | ||
搜索关键词: | 聚硅氮烷 处理 溶剂 方法 | ||
【主权项】:
1.一种聚硅氮烷处理溶剂,其特征在于包含从由四氢化萘,对薄荷烷,对异丙基苯甲烷,α-蒎烯,1,8-桉树脑及其混合物构成的组1中选出的溶剂。
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