[发明专利]形成穿过电介质的金属/半导体触点的方法无效
| 申请号： | 200680003965.X | 申请日： | 2006-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101116188A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 皮埃尔·吉恩·里贝龙;埃马纽埃尔·罗兰 | 申请（专利权）人： | 法国原子能委员会 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L27/142;H01L31/18;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在至少一个金属层(5)和至少一个半导体衬底(1)之间形成穿过半导体器件(100)中的至少一个电介质层(4)的触点(6.1至6.n)的方法。该半导体器件(100)在半导体衬底(1)的称为“基极”的至少一个面(2)上包括电介质层(4)。在该电介质层(4)上堆叠有金属层(5)。使装配在支撑体(12)上的若干突出元件(13.1至13.n)的加热端同时与金属层(5)接触，从而在突出元件(13.1至13.n)的加热端下面形成熔化金属区(14.1至14.n)。熔化金属横穿电介质(4)，并且与熔化金属区(14.1至14.n)的水平高度上的衬底(1)的半导体融合，从而形成触点(6.1至6.n)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 穿过 电介质 金属 半导体 触点 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在至少一个金属层(5)和至少一个半导体衬底(1)之间形成穿过半导体器件(100)中的至少一个电介质层(4)的触点(6.1至6.n)的方法，所述半导体器件(100)在所述半导体衬底(1)的被称为“基极”的至少一个面(2)上包括所述电介质层(4)，在所述电介质层(4)上堆叠有所述金属层(5)，其特征在于，使装配在支撑体(12)上的若干突出元件(13.1至13.n)的加热端同时与所述金属层(5)接触，从而在所述突出元件(13.1至13.n)的所述加热端下面形成熔化金属区(14.1至14.n)，所述熔化金属横穿所述电介质(4)，并且与处于熔化金属区(14.1至14.n)的水平高度上的所述衬底(1)的半导体融合，从而形成所述触点(6.1至6.n)。
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