[发明专利]陶瓷多层基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200680004096.2 | 申请日： | 2006-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101116382A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 川上弘伦;藤田岩雄;户濑诚人;齐藤善史;木村真宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H05K3/28 | 分类号： | H05K3/28;H05K3/46;H01L23/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了具有极好的抗迁移性以及在树脂密封材料与陶瓷多层基板主体之间的高接合强度的陶瓷多层基板，及这种陶瓷多层基板的制造方法。用通过PVD方法形成的硅氧烷膜完全覆盖包括焊区(16，17)和外部电极(24，25)的多层基板主体(2)。将硅氧烷膜的厚度设置为低于100nm。然后，安装组件(11)的外部电极(13，14)通过焊料(19)电连接到多层板主体(2)的焊区(16，17)并固定。然后，在多层基板主体(2)上形成用于密封安装组件(11)的树脂密封材料(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 多层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷多层基板，包括：通过层叠多个陶瓷层和内部导体层组成的层叠基板主体；设置在所述层叠基板主体的表面上的焊区，用于电连接至安装组件的外部电极；以及被设置成覆盖所述层叠基板主体和所述焊区的硅氧烷膜，所述硅氧烷膜的厚度低于100nm。
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