[发明专利]制备半导体存储器件中电解质材料层的方法无效
| 申请号： | 200680004305.3 | 申请日： | 2006-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101133503A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 凯－乌韦·平诺;克劳斯－迪特尔·乌费尔特 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的目标在于发展一种能够以CMOS技术为基础来制成的非易失性电阻率转换存储器系统，该目的通过本发明的方法实现，该方法用于制备在半导体存储器件(具体为电阻率转换存储器件或元件)中使用的电解质材料层，该材料层中混合有或沉积有硫属化合物材料。该方法至少包括以下步骤：制成半导体衬底；在半导体衬底上沉积二元硫属化合物层；在二元硫属化合物层上沉积含硫层并生成包括至少两种不同硫属化合物ASexSy的三元硫属化合物层，其中，硫属化合物ASexSy的一个组分A是第IV主族元素的材料，例如Ge、Si，或过渡金属(例如包括Zn，Cd，Hg的组)的材料，或由它们的混合物构成。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 存储 器件 电解质 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备应用在半导体存储器件中尤其是电阻率转换存储器件(1)或元件中的电解质材料层(3)的方法，所述半导体存储器件具体为电阻率转换存储器件(1)或元件，所述电解质材料层中混入或沉积有硫属化合物材料，所述方法至少包括以下步骤：生产一个半导体衬底(4)，在所述半导体衬底(4)上沉积一层二元硫属化合物(5)，在所述二元硫属化合物层(5)上沉积一层含硫层(6)，以及生成一个包括至少两种不同硫属化合物(ASexSy)的三元硫属化合物层(7)，其中，所述硫属化合物(ASexSy)的一个组分A包括第IV族元素中的一种材料(例如A＝Ge、Si、...)，一种过渡金属元素材料(例如Zn、Cd、Hg)，或它们的组合。
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