[发明专利]先进的低介电常数有机硅等离子体化学汽相沉积膜有效
| 申请号： | 200680004568.4 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101124664A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 山·V.·阮;莎拉·L.·莱恩;李加;井田健作;达里尔·D.·拉斯坦诺;野上武史 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种多孔的低k或超低k电介质膜，包括以共价键三维网络结构存在的Si、C、O和H(下面称为“SiCOH”)，具有低于大约3.0的介电常数，并具有比现有技术的SiCOH电介质更高程度的晶体键相互作用、更多作为甲基端基的碳和更少的亚甲基(－CH2－)交联基。该SiCOH电介质的特征在于，其FTIR谱包括小于大约1.40的CH3+CH2伸展的峰面积、小于大约0.20的SiH伸展的峰面积、大于大约2.0的SiCH3键合的峰面积以及大于大约60％的Si－O－Si键合的峰面积，并且该SiCOH电介质的孔隙率大于大约20％。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 介电常数 有机硅 等离子体 化学 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种电介质材料，其包括Si、C、O和H原子并具有三维网络结构，其中该材料的FTIR谱包括小于大约1.40的CH3+CH2伸展的峰面积、小于大约0.20的SiH伸展的峰面积、大于大约2.0的SiCH3 键合的峰面积以及大于大约60的Si-O-Si键合的峰面积，并且该材料的孔隙率大于大约20％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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