[发明专利]碳化硅单晶的制造方法无效
| 申请号： | 200680004816.5 | 申请日： | 2006-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101120124A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 河原孝光;八木邦明;八田直记;长泽弘幸 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/02;C23C16/42;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，在使碳化硅单晶在单晶基板上外延生长时，能够减少在碳化硅单晶内产生的表面缺陷。该方法是在单晶基板(1)的表面使碳化硅单晶层外延生长的碳化硅单晶的制造方法，其中，在上述单晶基板(1)的表面，形成在与该基板表面(1)基本平行的一个方向上延伸的多个起伏(2)，且该起伏(2)在上述单晶基板的厚度方向上波动，并且，设置该起伏(2)，使得由伴随着碳化硅单晶的外延生长而传播的反相区域边界面和/或双晶带形成的表面缺陷彼此会合。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶的制造方法，其是使碳化硅单晶层在单晶基板的表面同质外延生长或异质外延生长的碳化硅单晶的制造方法，其中，在上述单晶基板表面，形成在与该基板表面基本平行的一个方向上延伸的多个起伏，且该起伏在上述单晶基板的厚度方向上波动，并且，设置该起伏，使得由伴随着碳化硅单晶的外延生长而传播的反相区域边界面和/或双晶带形成的表面缺陷彼此会合。
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