[发明专利]电子器件

摘要

电子器件，其在衬底上包含单畴结构的有机半导体材料。所述半导体材料优选是晶体管的一部分，其中所述单畴在沟道上延伸，即从源极延伸到漏极。所述材料包含具有间隔基和端基的介晶单元。所述端基优选是反应性的，即二烯、丙烯酸酯、氧杂环丁烷等。介晶单元包含中央的寡聚噻吩基团、刚性间隔基，特别是乙炔基，以及附加基团，例如噻吩基或苯基。

主权项

1.一种电子器件，其包含具有有机半导体材料的半导体元件，所述有机半导体材料包含以近晶或晶相存在并且在单畴结构中至少部分有序的介晶单元，所述介晶单元相应于如下通式：E1-D1-A1-Z1-A2-Z2-A3-D2-E2，通式中：E1、E2是端基，D1、D2是间隔基，A1、A2、A3是任选取代的共轭单元，Z1、Z2是刚性间隔基，其中A2选自寡聚噻吩基团。