[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200680005648.1 | 申请日： | 2006-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101128937A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 吉持贤一 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体衬底；肖特基电极，在半导体衬底的表面与其自身之间形成肖特基界面；泄漏抑制结构，形成在半导体衬底的表面区中，用于在肖特基电极与半导体衬底之间施加反向偏置电压时，通过产生耗尽层，抑制泄漏电流；以及重掺杂层，形成在半导体衬底表面区中、表面与泄漏抑制结构之间的区域中，该重掺杂层是第一导电类型，表现出比半导体衬底高的杂质浓度，并在肖特基电极与其自身之间形成肖特基界面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体衬底；肖特基电极，在半导体衬底的表面与所述肖特基电极之间形成肖特基界面；泄漏抑制结构，形成在半导体衬底的表面区中，用于在肖特基电极与半导体衬底之间施加反向偏置电压时，通过产生耗尽层，抑制泄漏电流；以及重掺杂层，形成在半导体衬底表面中、由泄漏抑制结构所夹的区域中，所述重掺杂层是第一导电类型，表现出比半导体衬底高的杂质浓度，并在肖特基电极与所述重掺杂层之间形成肖特基界面。
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