[发明专利]半导体发光器件用部件及其制造方法以及使用了该部件的半导体发光器件

摘要

本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法以及使用了该部件的半导体发光器件，本发明所提供的半导体发光器件用部件的透明性、耐光性、耐热性优异，能够密封半导体发光器件，即使长期使用也不会产生裂纹和剥离。为此，本发明中使用具有下述特征的半导体发光器件用部件：(1)该部件的固体Si－核磁共振谱中具有至少一个选自由(i)和(ii)组成的组中的峰，所述(i)是峰顶的位置位于化学位移为－40ppm～0ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～3.0ppm的峰，所述(ii)是峰顶的位置位于化学位移为－80ppm以上且小于－40ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～5.0ppm的峰；并且，(2)该部件的硅含量为20重量％以上；(3)该部件的硅烷醇含量为0.1重量％～10重量％。

主权项

1.一种半导体发光器件用部件，该半导体发光器件用部件的特征在于，(1)该部件的固体Si-核磁共振谱中具有至少一个选自由(i)和(ii)组成的组中的峰，所述(i)是峰顶的位置位于化学位移为-40ppm～0ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～3.0ppm的峰，所述(ii)是峰顶的位置位于化学位移为-80ppm以上且小于-40ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～5.0ppm的峰；并且(2)该部件的硅含量为20重量％以上；(3)该部件的硅烷醇含量为0.1重量％～10重量％。