[发明专利]液浸式曝光系统、以及用于液浸式曝光的液体的回收方法和供给方法无效
申请号: | 200680005696.0 | 申请日: | 2006-01-20 |
公开(公告)号: | CN101128916A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 古川泰一;稗田克彦;宫松隆;王勇;山田欣司 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20;G03F7/038 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种液浸式曝光系统(1),通过在投影光学装置(121)的光学元件和衬底(111)之间配备的液体(301)来执行曝光过程。液浸式曝光系统(1)包括供给液体(301)的液体供给部分(80)、将来自液体供给部分(80)的液体(301(301b))连续地沿特定方向导入并且在投影光学装置(121)的光学元件和衬底(111)之间的空间充满了液体(301)的状态下执行曝光过程的曝光部分、其对在关于衬底(111)对称的位置上流过曝光部分(110)的液体(301(301a))进行恢复的液体恢复部分(90)、以及回收被液体恢复部分90恢复的液体(301(301c))的液体回收部分(20)。当采用液浸法时液浸式曝光液的特性可以保持稳定,由此能够有利地并连续地实行曝光,并能降低运行成本。 | ||
搜索关键词: | 液浸式 曝光 系统 以及 用于 液体 回收 方法 供给 | ||
【主权项】:
1.一种液浸式曝光系统,其通过在投影光学装置的光学元件和衬底之间配备的液体来进行曝光过程,该液浸式曝光系统包括:供给液体的液体供给部分;在投影光学装置的光学元件与衬底之间的空间被液体供给部分所供给的液体所充满的状态下执行曝光过程的曝光部分;以及回收流过曝光部分的液体的液体回收部分;在液体回收部分中回收的液体被返回到液体供给部分中并被再利用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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