[发明专利]半导体器件键合装置以及使用该装置键合半导体器件的方法无效
申请号: | 200680006043.4 | 申请日: | 2006-06-07 |
公开(公告)号: | CN101128914A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 内藤浩幸;仕田智;上野康晴;森川诚 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23K20/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的半导体器件键合装置1包括:施压部件15,在将凸起14设置在半导体器件10和衬底11之间的状态下,将半导体器件10压向衬底11一侧;超声波振动施加部件16,通过将超声波振动施加到半导体器件10和衬底11中的至少一个,使半导体器件10和衬底11相对振动;时间测量部件17,测量从开始施加超声波振动时的时间到按压半导体器件达预定距离时的时间所需的时间段;以及控制部件18,基于由时间测量部件17测量到的时间段,在随后的键合过程中控制超声波振动的输出。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 装置 以及 使用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件键合装置,其重复进行键合半导体器件和衬底的操作,该半导体器件键合装置包括:施压部件,在将凸起设置在所述半导体器件和所述衬底之间的状态下,将所述半导体器件压向所述衬底一侧;超声波振动施加部件,通过将超声波振动施加到所述半导体器件和所述衬底中的至少一个,使所述半导体器件和所述衬底相对振动;时间测量部件,测量从开始施加所述超声波振动时的时间到按压所述半导体器件达预定距离时的时间所需的时间段;以及控制部件,基于由所述时间测量部件测量到的所述时间段,在随后的键合过程中控制超声波振动的输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造