[发明专利]用于制造具有用于外部封装连接性的贯穿晶片过孔的晶片级封装的方法和相关的结构无效
申请号: | 200680006445.4 | 申请日: | 2006-03-09 |
公开(公告)号: | CN101248518A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | Q·甘;A·J·罗比安柯;R·W·华伦 | 申请(专利权)人: | 斯盖沃克斯瑟路申斯公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 根据一个示例性实施例,一种用于制造晶片级封装的方法包括:在器件晶片上形成聚合物层,其中所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和器件,并且其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述器件。所述方法还包括将保护晶片接合到所述器件晶片。所述方法还包括在所述保护晶片中形成至少一个过孔,其中所述至少一个过孔延伸贯穿所述保护晶片并且位于所述至少一个器件晶片接触衬垫之上。所述方法还包括在所述保护晶片上形成至少一个保护晶片接触衬垫,其中所述至少一个保护晶片接触衬垫位于所述至少一个过孔之上并且被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 具有 外部 封装 连接 贯穿 晶片 方法 相关 结构 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造晶片级封装的方法,所述方法包括以下步骤:在器件晶片上形成聚合物层,所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和至少一个器件,所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述至少一个器件;将保护晶片接合到所述器件晶片;以及在所述保护晶片中形成至少一个过孔,所述至少一个过孔延伸贯穿所述保护晶片;其中所述至少一个过孔位于所述至少一个器件晶片接触衬垫之上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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